中微公司（688012）的一份減持公告火了。

　　1月8日晚間，A股半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域龍頭中微公司（688012）的一份減持公告引發(fā)廣泛關(guān)注。

　　公告顯示，公司于近日收到公司董事長、總經(jīng)理尹志堯出具的《減持意向書》，尹志堯計(jì)劃減持公司股份數(shù)量不超過29萬股，占公司總股本比例0.046%。以中微公司最新股價(jià)粗略計(jì)算，尹志堯擬減持股票市值約為9764萬元。

　　而引發(fā)關(guān)注的是這份減持計(jì)劃的減持原因，公告顯示，尹志堯本次減持原因?yàn)椋阂虮救艘褟耐饧謴?fù)為中國籍，為依法辦理相關(guān)稅務(wù)的需要。

　　公開資料顯示，尹志堯是半導(dǎo)體領(lǐng)域一個(gè)傳奇式的人物。1944年，尹志堯出生于北京，1962年考入中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)物理系，1968年畢業(yè)后，先后供職于蘭州煉油廠、中科院蘭州物理化學(xué)所，積累了扎實(shí)的科研基礎(chǔ)。1978年至1980年，他在北京大學(xué)化學(xué)系攻讀碩士，隨后前往加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校留學(xué)，并獲得物理化學(xué)博士學(xué)位，開啟了在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深耕之路。

　　在硅谷的二十年，尹志堯憑借卓越的科研能力，成為半導(dǎo)體行業(yè)的頂尖專家。1984年至1986年，他就職于英特爾中心技術(shù)開發(fā)部，擔(dān)任工藝工程師；1986年至1991年，就職于泛林半導(dǎo)體，歷任研發(fā)部資深工程師、研發(fā)部資深經(jīng)理；1991年至2004年，就職于應(yīng)用材料，歷任等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品總部首席技術(shù)官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業(yè)群總經(jīng)理、亞洲總部首席技術(shù)官。

　　在應(yīng)用材料公司工作期間，尹志堯參與并領(lǐng)導(dǎo)了國際幾代等離子體刻蝕機(jī)的研發(fā)，被譽(yù)為微觀設(shè)備領(lǐng)域的“最強(qiáng)大腦”，還獲得了86項(xiàng)美國專利和200多項(xiàng)國際專利，被評(píng)價(jià)為“硅谷最有成就的華人之一”。

　　2004年，60歲的尹志堯做了一個(gè)讓人意外的決定，回國創(chuàng)業(yè)，隨后便有了中微公司。中微公司2025年半年報(bào)顯示，公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司瞄準(zhǔn)世界科技前沿，基于在半導(dǎo)體設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)多年積累的專業(yè)技術(shù)，涉足半導(dǎo)體集成電路制造、先進(jìn)封裝、LED外延片生產(chǎn)、功率器件、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備領(lǐng)域。公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65納米至5納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。公司的MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設(shè)備制造商。公司近兩年新開發(fā)的LPCVD薄膜設(shè)備和ALD薄膜設(shè)備，目前已有多款產(chǎn)品進(jìn)入市場并獲得大批量重復(fù)性訂單。

　　此前，中微公司2022年年報(bào)顯示，尹志堯?yàn)槊绹鴩?/p>

　　2023年年報(bào)中則未披露尹志堯國籍。

　　而在中微公司2024年年報(bào)中，尹志堯國籍變更為中國國籍。