存儲(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)性失衡催生歷史級(jí)漲價(jià)
全球存儲(chǔ)行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)由AI技術(shù)驅(qū)動(dòng)的深刻變局與供給危機(jī)。
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的最新預(yù)測(cè)將2026年第一季度DRAM合同價(jià)格漲幅預(yù)期大幅上調(diào)至驚人的58%，其中服務(wù)器與移動(dòng)DRAM漲幅更預(yù)計(jì)超過(guò)60%。與以往周期性波動(dòng)不同，此輪短缺被行業(yè)定性為“結(jié)構(gòu)性供需失衡”，存儲(chǔ)巨頭美光的高管甚至表示，“短缺問(wèn)題在2028年前仍難以緩解”。
隨著存儲(chǔ)芯片進(jìn)入歷史性漲價(jià)周期，A股市場(chǎng)資金持續(xù)交易漲價(jià)邏輯。本周，佰維存儲(chǔ)（688525.SH）、兆易創(chuàng)新（603986.SH）、江波龍（301308.SZ）等板塊龍頭公司股價(jià)創(chuàng)下新高，顯示機(jī)構(gòu)投資者正在對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)的估值邏輯進(jìn)行系統(tǒng)性重估——從單純的周期博弈，轉(zhuǎn)向?qū)Τ砷L(zhǎng)確定性與產(chǎn)業(yè)鏈地位的價(jià)值重估。
存儲(chǔ)供需缺口遠(yuǎn)超預(yù)期
存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的供需失衡正在以超出機(jī)構(gòu)預(yù)期的速度加劇。日前，美光副總裁Christopher Moore（克里斯托弗·摩爾）站在全球供應(yīng)鏈角度表示：“即使投入巨資，存儲(chǔ)芯片短缺問(wèn)題在2028年前仍難以緩解。”
瑞銀、摩根大通等外資機(jī)構(gòu)也一致表達(dá)了存儲(chǔ)芯片漲價(jià)將持續(xù)的觀點(diǎn)。UBS甚至表示，“存儲(chǔ)半導(dǎo)體正步入未知領(lǐng)域”，該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2026年第一季度DDR合同價(jià)格環(huán)比上漲58%（此前預(yù)測(cè)為30%），NAND閃存環(huán)比上漲27%（此前預(yù)測(cè)為20%）。
瑞銀表示，注意到供應(yīng)商之間存在差異（部分供應(yīng)商在2025年第四季度更為激進(jìn)），應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同，預(yù)測(cè)2026年第一季度服務(wù)器DDR5合同價(jià)格環(huán)比上漲60%，移動(dòng)DRAM環(huán)比上漲62%，而PC DRAM漲幅預(yù)計(jì)相對(duì)滯后，為45%。
針對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品供應(yīng)短缺，海外巨頭的普遍方式是提價(jià)，三星與SK海力士計(jì)劃在2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%~70%，賣方市場(chǎng)的強(qiáng)勢(shì)地位使供應(yīng)商對(duì)2026年第二季度進(jìn)一步漲價(jià)充滿信心。
值得關(guān)注的是，美光正籌劃以收購(gòu)方式擴(kuò)產(chǎn)DRAM。公司近期宣布，將以總價(jià)18億美元現(xiàn)金收購(gòu)力積電位于中國(guó)臺(tái)灣苗栗縣銅鑼的P5晶圓廠廠房及廠務(wù)設(shè)施。美光預(yù)計(jì)，此次收購(gòu)將有助于其從2027年下半年開始顯著提高DRAM晶圓產(chǎn)量。
本輪存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)成為歷史上最為強(qiáng)勁的漲價(jià)周期之一，空前漲幅背后的核心驅(qū)動(dòng)力是AI模型與推理場(chǎng)景的爆發(fā)式增長(zhǎng)，AI數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)需求占比已躍升至市場(chǎng)的50%~60%，存儲(chǔ)廠商將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、DDR5等高端產(chǎn)品，而大幅削減傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片的供應(yīng)，導(dǎo)致傳統(tǒng)產(chǎn)品供需失衡。
由于全球存儲(chǔ)原廠剛剛從2023年~2024年的“暴跌、虧損與削減產(chǎn)能”中恢復(fù)，頭部廠商維持著相對(duì)克制的擴(kuò)產(chǎn)策略，這既有行業(yè)周期性帶來(lái)的歷史教訓(xùn)，也有技術(shù)代際切換造成的客觀限制。相比前一輪“缺芯潮”中海外原廠動(dòng)輒千億級(jí)別的擴(kuò)產(chǎn)，本輪存儲(chǔ)周期的供給端反應(yīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)跟不上需求的爆發(fā)，進(jìn)一步推升了價(jià)格上漲。
業(yè)內(nèi)分析指出，此輪存儲(chǔ)芯片短缺的根本原因在于“物理上無(wú)法滿足的復(fù)雜性”。隨著AI大模型、人形機(jī)器人和上下文窗口推理系統(tǒng)的快速發(fā)展，客戶需求從單一規(guī)格、穩(wěn)定出貨轉(zhuǎn)變?yōu)槎嘁?guī)格、快速變化，這使生產(chǎn)線面臨前所未有的調(diào)整壓力。
國(guó)產(chǎn)龍頭獲價(jià)值重估
與上一輪存儲(chǔ)“缺芯”不同的是，這輪存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)還伴隨著技術(shù)迭代與產(chǎn)品創(chuàng)新共振，這一變化趨勢(shì)推動(dòng)機(jī)構(gòu)投資者以全新的視角看待A股存儲(chǔ)相關(guān)上市公司，漲價(jià)邏輯直接映射到相關(guān)企業(yè)的估值邏輯上。
周五（1月16日），A股存儲(chǔ)芯片板塊大漲，江波龍、佰維存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新等龍頭股均創(chuàng)歷史新高，封裝龍頭長(zhǎng)電科技（6010584.SH）、通富微電（002156.SZ）等雙雙漲停。
可以看出，資金交易存儲(chǔ)漲價(jià)的邏輯主要為兩大方向：其一，對(duì)于以兆易創(chuàng)新、佰維存儲(chǔ)為代表的傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片龍頭企業(yè)，市場(chǎng)密切關(guān)注產(chǎn)品漲價(jià)對(duì)其業(yè)績(jī)量?jī)r(jià)齊升的帶動(dòng)效應(yīng)；其二，在國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)，AI的新增需求推動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品自身結(jié)構(gòu)及其模組結(jié)構(gòu)持續(xù)迭代，新的存儲(chǔ)產(chǎn)品組合不斷涌現(xiàn)，更催生了全新業(yè)務(wù)模式。
“AI要求存儲(chǔ)具有大容量和高帶寬的特點(diǎn)，邊緣、端側(cè)更強(qiáng)調(diào)存儲(chǔ)低延遲、高性能和小尺寸，因此需在芯片設(shè)計(jì)、先進(jìn)封裝、測(cè)試設(shè)備等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域適應(yīng)AI時(shí)代，生產(chǎn)出滿足更大容量、更高性能、更低功耗、更小尺寸的綜合要求的產(chǎn)品?！币晃籘MT行業(yè)分析師對(duì)第一財(cái)經(jīng)說(shuō)，“市場(chǎng)交易存儲(chǔ)的邏輯不只是漲價(jià)，還包括技術(shù)迭代、產(chǎn)品創(chuàng)新、AI端側(cè)落地等方面的預(yù)期，比如存儲(chǔ)與先進(jìn)封裝的深度整合。”
存儲(chǔ)板塊估值提升的背后，是漲價(jià)直接地改善了企業(yè)的盈利基本面。佰維存儲(chǔ)近日發(fā)布2025年業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)全年?duì)I收、凈利潤(rùn)均刷新歷史高點(diǎn)。公司預(yù)計(jì)去年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入100億元至120億元，同比增長(zhǎng)49.36%至79.23%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)8.5億元至10億元，同比增長(zhǎng)427.19%至520.22%。
從單季度看，佰維存儲(chǔ)預(yù)計(jì)2025年第四季度實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)8.19億元至9.69億元，環(huán)比增長(zhǎng)219.89%至278.43%。對(duì)于業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)的原因，佰維存儲(chǔ)表示，從2025年第二季度開始，隨著存儲(chǔ)價(jià)格企穩(wěn)回升，公司重點(diǎn)項(xiàng)目逐步交付，在AI新興端側(cè)領(lǐng)域保持高速增長(zhǎng)趨勢(shì)，銷售收入和毛利率逐步回升，經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)逐步改善。
此外，本輪漲價(jià)的驅(qū)動(dòng)邏輯（AI結(jié)構(gòu)性需求）賦予了存儲(chǔ)公司難得的“成長(zhǎng)性溢價(jià)”。與過(guò)去單純由供需錯(cuò)配導(dǎo)致的周期性漲價(jià)不同，此輪需求的核心來(lái)自AI服務(wù)器、高端算力、AI端側(cè)落地等具備長(zhǎng)期成長(zhǎng)空間的賽道。這意味著，相關(guān)企業(yè)的收入增長(zhǎng)可見度和持續(xù)性被大幅上調(diào)。
“存儲(chǔ)漲價(jià)周期的可持續(xù)性預(yù)期，拉長(zhǎng)了估值提升的時(shí)間維度。預(yù)計(jì)2026年DRAM市場(chǎng)供需關(guān)系仍將保持緊張。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)模組、存儲(chǔ)芯片以及主控/配套芯片等產(chǎn)業(yè)鏈上各個(gè)環(huán)節(jié)廠商均有望受益于周期上行帶來(lái)的量?jī)r(jià)齊升。建議漲價(jià)邏輯充分演繹后，密切關(guān)注AI端側(cè)落地及相關(guān)新增需求為產(chǎn)業(yè)鏈帶來(lái)的成長(zhǎng)機(jī)遇?！鼻笆龇治鰩熝a(bǔ)充說(shuō)。